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元件参数资料
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参数目录49552
> IPD60R385CP MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
型号:
IPD60R385CP
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPD60R385CP PDF
标准包装
2,500
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
385 毫欧 @ 5.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.5V @ 340µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
790pF @ 100V
功率 - 最大
83W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
PG-TO252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
IPD60R385CP-ND
IPD60R385CPINTR
IPD60R385CPXT
SP000062533
SP000307381
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